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随着晶面间电位振幅随机性的标准偏差增加，崩盘位错核心尺寸减小，而平均值增加。Δ0时，广的阴对于任何施加的应力，广的阴位错只能行进一段有限的距离移动(b)外加应力下位错的距离分布图三不同λ/Δ的位错核心尺寸分布固定Δ，增加λ会扩宽核心宽度ζ̃分布图四Peierls应力分布函数固定Δ，空间相关长度λ导致平均Peierls应力增加，Peierls阻碍发生偏移。二是虽然元素短程有序影响高熵合金的强度，美国谋但不应考虑进溶质强度理论模型。

图五外加应力(σ_a)̃对位错移动平均距离的影响通过固定施加应力时位错移动更短的距离或位错移动距离固定，日本何施加更大的外界应力可增加空间相关长度λ图六临界应力与标准偏差Δ和相关长度λ的函数参考材料：日本何BCCMo0.2Nb0.2Ta0.2W0.2V0.2HEA文献链接：TheEffectofRandomnessontheStrengthofHigh-EntropyAlloys(ActaMater.,2018,DOI:10.1016/j.actamat.2018.12.032)本文由材料人编辑部学术组liunian供稿，材料牛编辑整理。房地图二位错在外加应力下的分布(a)位错在施加的应力下移动的平均距离。

随机PN模型模型包括在位错滑移方向和沿位错线方向上的非均匀成分分布的影响，产场协并考虑了组成中的随机性，产场协其特征在于晶面间电位扰动的标准偏差和空间组成分布内的相关长度。

而其结构与高熵合金设计有密切的关系，崩盘通过建立结构与力学性能的关系进而进行高熵合金的设计。广的阴（g-i）g-C3N4@Nifoam上沉积9.0mAhcm−2锂后的SEM图片及对应的模型图。

因此，美国谋Li@g-C3N4@Ni负极具有高库仑效率（98％）和超长寿命（900h）。实验证明与3D金属骨架结合的g-C3N4对于促进Li的均匀成核与沉积，日本何抑制锂枝晶生长具有显著的效果。

房地（h）g-C3N4的N1sXPS谱图。文献链接：产场协GraphiticCarbonNitrideInducedMicro-ElectricFieldforDendrite-FreeLithiumMetalAnodes(Adv.EnergyMater.,2019,1803186)本文由材料人新能源组大兵哥供稿，材料牛整理编辑。